特任准教授　栁瀬 明久

主な研究内容・成果

①パルスレーザー加熱によるパッチ状Ge薄膜の微小球化

光学デバイスへ応用可能な高い真球性を有するGeとSiの微小球（直径3～10 µm）の作製について、ナノ秒レーザー照射によって一定体積のGe、Si薄膜を加熱・溶融する方法を独自に探求している。この方法は、溶融した原料薄膜が、基板をぬらさない場合に球形に近づくことを利用する。溶融状態を経て球形粒子を得るプロセスでは、相変化にともなう体積変化が生じ、高い真球性の獲得は一般に容易ではない。そのため、1個の薄膜を1個の球状粒子まで連続的に変形させる過程と球状粒子から真球性の高い微小球を得る過程からなる２段階プロセスが必要である。高品質な半導体微小球を作製するための最適なプロセスを明らかにする。